2008

Vor fi stabilite traseele tehnologice optime de obţinere a materialelor semiconductoare cristaline CuIn3Se5, CuGa3Se5, CuIn5Se8, CuGa5Se8 cu utilizarea metodei reacţiilor chimice de transport. Prin utilizarea metodelor de cercetare cu raze X va fi determinată structura cristalină a materialelor semiconductoare obţinute. Vor fi elaborate condiţiile tehnologice electrochimice de preparare ale structurilor poroase de ZnTe şi CdS. Vor fi stabilite particularităţile tehnologice de introducere a porozităţii în materiale semiconductoare cu banda interzisă largă. Vor fi elaborate condiţiile tehnologice de preparare a filmelor subţiri ZnO prin metoda MOCVD. Prin studiul morfologiei, compoziţiei şi proprietăţilor optice ale filmelor de ZnO vor fi identificate mecanismele de creştere şi influenţa condiţiilor tehnologice asupra structurii filmelor. Vor fi elaborate metode tehnologice de dopare a filmelor ZnO cu ioni de Eu şi Cr în scopul preparării filmelor luminofore. Prin studiul eficienţei de emisie a luminii legate de tranziţiile electronice în centrele de Eu şi Cr şi a distribuţiei spectrale a emisiei în funcţie de condiţiile tehnologice de dopare vor fi stabilite mecanismele de activare a ionilor pământurilor rare şi metalelor de tranziţie în filme de ZnO.

2009

Va fi studiat procesul de obţinere a soluţiilor solide CuGa3xIn3(1-x)Se5, CuGa5xIn5(1-x)Se8 prin metoda Bridgman. Vor fi determinate condiţiile optime de creştere ale cristalelor ce aparţin sistemelor CuGa3xIn3(1-x)Se5, CuGa5xIn5(1-x)Se8. Vor fi calculate funcţiile optice cu ajutorul ecuaţiei elipsometrice principale şi ecuaţiei Fresnell pentru lumina reflectată de la suprafaţa cristalelor şi determinat coeficientul relativ de reflexie. Vor fi elaborate condiţiile tehnologice de depunere a incluziunilor metalice cu formă, dimensiuni şi densitate controlată în structuri semiconductoare cu bandă interzisă largă. Vor fi efectuate calcule numerice ale proprietăţilor fotonice în materialele nanostructurate cu bandă interzisă largă cu incluziuni metalice. Vor fi studiate efecte laser în aceste structuri. Prin metoda de pulverizare a soluţiilor chimice pe suprafeţele tratate ale siliciului vor fi obţinute dispozitive fotovoltaice siliciu-ITO cu diverse profiluri ale suprafeţei active. Vor fi cercetaţi parametrii joncţiunilor menţionate în dependenţă de profilul suprafeţei active, cu scopul majorării eficienţei transformării radiaţiei solare în energie electrică.

2010

Vor fi determinate mecanismele de formare a modurilor laser în nanotetrapoade de ZnO în funcţie de dimensiunile tetrapoadelor şi a influenţei dimensiunilor asupra pragului de emisie laser. Va fi elaborată tehnologia de preparare a structurilor poroase de ZnO şi a materialelor nanocompozite ZnO/ZnTe cu compoziţie şi morfologie dirijată în baza monocristalelor de ZnTe. Vor fi obţinute filme de CuIn1-xGaxSe2 şi determinate constantele optice ale acestora. Va fi stabilită dependenţa parametrilor structurilor unilaterale şi bilaterale ITO-Si de starea interfeţei oxid-semiconductor. Vor fi obţinute mostre de laborator de celule solare cu interfaţa profilată în baza structurilor ITO/Si.