2016

Vor fi elaborate recomandări de condiții tehnologice în sensul parametrilor de tratament a suprafeței straturilor de GaN cu ioni de Ar și a parametrilor de corodare PEC pentru prepararea membranelor de GaN cu grosimea și morfologia dorită pentru straturi de GaN cu diferiți parametri electrici. Vor fi determinate mecanismele de formare a defectelor în membrana GaN, precum și cele de trapare a sarcinii negative. Vor fi determinate condițiile în care are loc crearea unei cantități de stări de suprafață neocupate, care să depășească numărul de defecte Va fi stabilită valoarea câmpului electric, care să asigure tunelarea sarcinii de la un defect la altul până la atingerea stărilor de suprafață pentru diferite grosimi, morfologii și design-uri ale membranelor de GaN Vor fi identificate condițiile în care membrana de GaN cu grosimea și design-ul respectiv acționează ca un memristor cu o dependență curent-tensiune dată.

2017

Vor fi prezentate rutele tehnologice de fabricare a rețelelor de membrane de GaN cu diferite design-uri. Vor fi prezentate rezultatele caracterizării morfologice a membranelor și a rețelelor de membrane de GaN. Vor fi prezentate rutele tehnologice de fabricare a contactelor metalice la membrane și la rețele de membrane de GaN. Vor fi prezentate rezultatele testării caracteristicilor electrice a contactelor. Va fi prezentat designul circuitelor electronice neuronale capabile să îndeplinească funcții de învățare a obișnuinței la un stimul conform modelului Kandel, funcții de învățare de semnale de tip Pavlov și funcții de percepție elementară. Vor fi fabricate dispozitive neuro-morfice de învățare bazate pe membrane GaN conform rezultatelor simulărilor și modelărilor. Vor fi prezentate rezultatele testărilor dispozitivelor neuro-morfice bazate pe membrane GaN din punct de vedere al capabilităţilor de îndeplinire a funcțiilor de învățare a obișnuinței la un stimul conform modelului Kandell, a funcțiilor de învățare de semnale de tip Pavlov și a funcțiilor de percepție elementară.