2015

Vor fi determinate poziţiile liniilor n = 1 şi n = 2 a tuturor seriilor excitonice în cristale de TlGa(In)S(Se)2, CuGa(In)S(Se)2, Cu2ZnAB4. Vor fi determinate energiile de legătură şi valorile intervalelor energetice în limitele cărora se formează seriile excitonice. Se vor determina parametrii excitonilor şi benzilor. Vor fi determinate valorile despicării benzilor energetice cauzate de câmpul cristalin Δ şi de interacţiunea spin orbitală ΔSO. Vor fi evaluate masele efective ale electronilor (m*с1) şi golurilor (m*V1,m*V2, m*V3) în cristalele TlGa(In)S(Se)2 și ale electronilor (m*cl) şi golurilor (m*v1, m*v2, m*v3) în cristalele CuGa(In)S(Se)2, Cu2ZnAB4 (unde A ~ Si, Ge, Sn; B ~ S, Se). Vor fi elaborate metode de cercetare a spectrelor optice de reflexie, absorbţie şi luminescenţă a excitonilor în cristale şi structuri semiconduc- toare. Va fi asamblată şi ajustată instalaţia experimentală pentru cerceta- rea excitonilor şi a altor proprietăţi ale polaritonilor excitonici. Vor fi elaborate modelele benzilor energetice ale materialelor semiconductoare cercetate. Vor fi elaborate recomandări de utilizare a materialelor respective pentru folosirea în diferite dispozitive microoptoelectronice active şi pasive (diode laser, diode electroluminiscente, fotoreceptori, multiplexoare, demultiplexoare, filtre etc.).

2016

Vor fi caracterizate emiţătoarele de radiaţia coerentă VCSEL şi emiţătoarele de radiaţie UV de diferite construcţii şi dimensiuni (caracteristicile spectrale, VA, WA).Vor fi determinate regimurile optime de exploatare a emiţătoarelor VCSEL şi UV pentru module optice de comunicaţii, detectori de gaze, şi vor fi studiate relaţiile dintre precizia obţinută în diverse sisteme de măsurare.Vor fi elaborate şi cercetate elementele optoelectronice pasive pe baza semiconductorilor anizotropi şi fibrei optice (Micro-lentile separate şi integrate cu FO de diferite construcţii pentru emiţători şi fotoreceptori, polarizatoare şi filtre de bandă îngustă).Vor fi elaborate şi cercetate sisteme de colimare a radiaţiei UV şi IR pentru module optoelectronice cu destinaţie medicală şi metrologică.

2017

Vor fi elaborare şi cercetate aparate și sisteme pe baza dispozitivelor micro-optoelectronice cu diverse aplicații avansate (medicină, comunicaţii, ingineria vehiculelor, electronică, energetică).Vor fi elaborate şi testate sistemele pe baza dispozitivelor micro-optoelectronice cu aplicaţii în medicină, comunicaţii, ingineria vehiculelor, electronică, energetică.Vor fi confecţionate modulele şi sistemele optoelectronice pentru comunicaţii, medicină, iluminare.Va fi studiată fotoluminescenţa cristalelor ZnAl2Se4:Sm2 şi КCl:Sm2 în vederea utilizării lor în dispozitive micro-optoelectronice pentru diverse aplicaţii.Vor fi studiaţi parametrii cristalelor CuGaSe2, Cu2ZnSiSe4, Т1InS2,Т1GaSе2 şi CdAl2S4 utilizând metode rezonanţă Raman cu scopul determinării domeniilor de aplicare în micro-optoelectronică.Va fi efectuat studiul spectrelor de rezonanţă Raman la polarizare ale cristalelor РbGа2S4 cu diferite geometrii.Va fi efectuat studiul sistemelor mecatronice utilizate pentru tratamentul gazelor de evacuare la motoarele auto. Determinarea regimurilor optime de exploatare ale elementelor micro-electronice din sistemul mecatronic de depoluare. Cercetarea și elaborarea sistemului mecatronic pentru tratamentul și controlul integrat al poluării. Va fi efectuat studiul instalațiilor mecatronice utilizate pentru monitorizarea și controlul noxelor la motoarele MAI.