2009

Vor fi obţinute dependenţele vitezei de decapare în funcţie de concentraţia purtătorilor în cristale de GaN crescute prin metoda MOCVD, MBE, HVPE. Vor fi fabricate pelicule de GaN cu diverse morfologii. Vor fi determinate dependenţele dintre energia razei de ioni şi adîncimea de pătrundere a acestora în GaN. Vor fi găsite metodele optime de înlăturare a acestui strat superficial.

2010

Vor fi estimate densităţile dislocaţiilor straturilor epitaxiale crescute pe substraturi nanostructurate de GaN, vor fi ridicate spectrele de fotoluminescenţă pentru aceste structuri. Vor fi obţinute membrane de GaN, folosind metoda litografiei sarcinilor încapsulate la suprafaţă urmată de corodarea fotoelectrochimică. Va fi estimat unghiul de umectare, funcţia de morfologie şi starea de suprafaţă a GaN, longevitatea microorganismelor pe suprafaţa GaN şi factorii ce influenţează acest parametru.