2009

Vor fi selectaţi dopanţi şi vor fi sintetizaţi compuşi de InSe de tip p şi n. Prin măsurări optice, electrice şi fotoelectrice a materialelor InSe de tip p şi n va fi studiată influenţa gradului de dispersare a cristalelor asupra caracteristicilor stărilor de suprafaţă şi a spectrului energetic al stărilor localizate care sunt generate în procesul de despicare. Va fi elaborată tehnologia de oxidare controlabilă a suprafeţei monocristaline de InSe. Va fi efectuat studiul proprietăţilor optice, electrice şi fotoelectrice a materialelor monocristaline şi a microparticulelor de InSe.

2010

Vor fi elaborate metode şi asamblată instalaţia din componente pentru dispersare ultrasonoră a compusului InSe. Vor fi fabricate nanoparticule din InSe de tip n şi p. Va fi efectuat studiul proprietăţilor optice ale nanoparticulelor din InSe (n şi p). Vor fi obţinute monocristale de InSe dopate cu hidrogen şi litiu. Vor fi asamblaţi electrozii pe bază de nanoplăci din InSe şi nanocompozite din materiale semiconductoare – In2Se3 nedopate şi dopate cu Li şi H. Va fi efectuat studiul caracteristicilor de transport în structuri electrolit bazic-nanocompozit InSe. Va fi efectuat studiul caracteristicilor de transport în structuri electrolit acid-nanocompozit InSe. Vor fi elaborate mostre de laborator de acumulatori de energie electrică cu nanocompozite pe bază de InSe dopat cu elemente din grupa I. Vor fi stabilite caracteristici fizice şi tehnice ale electrolitului solid pe bază de InSe dopat cu elemente din grupa I.