2010

În cadrul modelelor molecular-dinamice Face-centered cubic cell (FCC) şi Valence Force Field (VFF) vor fi calculate şi cercetate spectrele şi vitezele de grup ale fononilor în 3D-QDS In(Ga)As /GaAs şi (Si)Ge /Si. Va fi studiată influenţa parametrilor suprareţelei asupra proprietăţilor fononice ale ei. Vor fi obţinute formulele pentru perioadele de relaxare a fononilor în procesele Umklapp şi la difuzia superficială în 3D-QDS. Va fi calculată conductibilitatea termică fononică în 3D-QDS, iar în urma comparării cu datele experimentale, va fi determinat parametrul difuziei superficiale a fononilor, care depinde de calitatea eşantioanelor. Va fi cercetată influenţa parametrilor suprareţelei asupra conductibilităţii termice fononice. Vor fi determinaţi parametrii optimali, care asigură o conductibilitate termică minimală. În comun cu partenerii germani vor fi elaborate propuneri privind structura optimală a suprareţelelor pentru aplicaţiile termoelectrice.