2013

Va fi prezentată o serie de nanomatrice semiconductoare din InP, GaP, şi ZnSe cu grosimea de 10 – 300 μm pentru depunerea ulterioară a formaţiunilor metalice în interiorul porilor, precum şi o serie de nanostructuri metalo-semiconductoare obţinute prin depunerea formaţiunilor metalice din Pt, Ag, Au în interiorul porilor nanomatricelor. Va fi prezentat protocolul studiului proprietăţilor nanomatricelor semiconductoare şi a nanostructurilor metalo-semiconductoare (imaginile SEM, analiza EDX, spectrele Raman şi de luminescenţă).

2014

Va fi prezentată o serie de nanomatrice semiconductoare cu pori îndreptaţi în direcţia paralelă la suprafaţă, cu diametrul şi densitatea porilor dirijate. Va fi prezentat protocolul studiului proprietaţilor acestor matrice. Va fi prezentată o serie de nanomatrice semiconductoare cu pori îndreptaţi în direcţia paralelă la suprafaţă cu nanoparticule metalice cu diametrul de 5-20 mm depuse în interiorul porilor. Protocolul studiului proprietaţilor acestor structuri.