Elaborarea tehnologiei de obţinere a nanostraturilor pe bază de compuşi GaInP/GaAs(InP) prin metoda de epitaxie din fază gazoasă pentru aplicaţii la dispozitive fotovoltaice
Director de proiect, gradul ştiinţific | Codul (cifrul) proiectului | Instituţia executoare | Tipul proiectului | Direcţia strategică | Caracterul cercetărilor | Termenul de realizare | Rezultatele preconizate | Alocaţii bugetare | Cofinanţare |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Gorceac Leonid L. | 09.836.05.08A | Universitatea de Stat din Moldova | Concepţii ale programelor de stat | Nanotehnologii, inginerie industrială, produse şi materiale noi. | Aplicativ | 2009-01-01 - 2010-12-31 | 2009 Va fi elaborată tehnologia de obţinere a nanostraturilor GaAs şi vor fi optimizaţi parametrii necesari pentru dirijarea procedeelor tehnologice (temperaturile şi vitezele fluxurilor de gaze). Se vor obţine mostre de nanostraturi având grosimile şi parametrii electrofizici necesari pentru confecţionarea dispozitivelor fotovoltaice, vor fi studiate morfologia, proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale straturilor. 2010 Prin metoda HVPE va fi elaborată tehnologia de obţinere a nanostraturilor GaAs dopate cu impurităţi n şi p-tip.
Vor fi obţinute structuri pGaAs-nGaAs-n GaAs cu nanostraturi.
Va fi elaborată tehnologia de creştere a straturilor InGaP nanodimensionale cu compoziţia atomică ce asigură coincidenţa reticulară în structura pInGaP-pGaAs-nGaAs-n GaAs.
Va fi cercetată compoziţia atomică, proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale soluţiilor solide InGaP.
Va fi determinată şi prezentată structura funcţională a celulei solare cu naonostraturi pInGaP-pGaAs-nGaAs-n GaAs.
| 2009 230.0 2010 100.0 | 2009 0.0 2010 0.0 |