Materiale nanostructurate cu bandă interzisă largă pentru dispozitive optoelectronice şi plasmonice
Director de proiect, gradul ştiinţific | Codul (cifrul) proiectului | Instituţia executoare | Tipul proiectului | Direcţia strategică | Caracterul cercetărilor | Termenul de realizare | Rezultatele preconizate | Alocaţii bugetare | Cofinanţare |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
dr.hab Rusu Emil Vasile | 15.817.02.08A | Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM | Proiecte de cercetare ştiinţifică fundamentală şi cercetare ştiinţifică aplicativă (instituţionale) | Materiale, tehnologii şi produse inovative | Aplicativ | 2015-01-01 - 2018-12-31 | 2015 Vor fi elaborate condiţiile tehnologice pentru obţinerea straturilor planare şi na- nostructurate de materiale cu bandă interzisă largă (ZnO, ZnMgO, NiO, GaN,TiO2) prin metoda MOCVD, depunerea magnetron şi spin-coating. Va fi studiată morfologia filmelor prin caracterizare SEM, AFM. Vor fi determinaţi parametrii electrici şi optici ai materialelor produse în funcţie de condiţiile tehnologice aplicate. Vor fi stabilite condiţiile optime de obţinere a structurilor planare şi nanostructurate cu parametri prestabiliţi în corelare cu aplicarea lor în structuri de dispozitive preconizate (diode MSM, joncţiuni p-n). 2016 Vor fi dezvoltate tehnologiile de producere a structurilor de dispozitiv în baza undelor acustice de suprafaţă în baza straturilor de ZnO şi MgxZn1-xO. Vor fi obţinute structuri cu un singur strat planar pentru propagarea undei acustice de suprafaţă. Vor fi elaborate tehnologii de obţinere a structurilor bistratificate: cu un strat dens de material pentru propagarea undei acustice de suprafaţă şi un strat nanostructurat cu diferite morfologii. Vor fi elaborate tehnologiile de formare a traductoarelor interdigitale. 2017 Vor fi elaboraţi senzori conductometrici de radiaţie şi substanţe chimice în baza structurilor GaN, ZnO, SnO2, TiO2 şi a structurilor hibride. Vor fi studiate şi identificate mecanismele de sensibilitate a senzorilor. Vor fi elaborate tehnologii de producere a soluţiilor solide MgxZn1-xO cu compoziţie dirijată, vor fi obţinute structuri planare în baza soluţiilor solide MgxZn1-xO pentru x=0,05; 0,15; 0,25 şi elaborate procedee tehnologice de confecţionare a senzorilor de radiaţie UV de tip MSM, diodelor Schottky, preparate pe straturi de ZnO, GaN, structurilor NiO/ZnO. Vor fi studiate caracteristicile fotoelectrice şi timpul de răspuns al fotoreceptoarelor interdigitali şi determinate condiţiile tehnologice optime de obţinere a structurilor şi formare a fotoreceptoarelor. Vor fi elaboraţi senzori cu fibră optică în baza materialelor oxidice de ZnO şi TiO2, având ca principiu de funcţionare efectul de refracţie a luminii laser. Vor fi realizaţi senzori în baza structurilor cu unde acustice de suprafaţă (SAW). Va fi determinată viteza de propagare a undei acustice de suprafaţă în funcţie de morfologia, nanostructurarea structurilor sensibile de ZnO şi GaN. Vor fi determinate frecvenţele de rezonanţă şi coeficienţii complecşi de transmisie şi reflexie a structurilor SAW în funcţie de designul senzorului. | 2015 1489.6 2016 1775.3 2017 1796.3 | 2015 0.0 2016 0.0 2017 0.0 |