Tehnologii cost-efective de fabricare a nanostructurilor uni-dimensionale, bi-dimensionale şi tri-dimensionale în bază de GaN
Director de proiect, gradul ştiinţific
Codul (cifrul) proiectului
Instituţia executoare
Tipul proiectului
Direcţia strategică
Caracterul cercetărilor
Termenul de realizare
Rezultatele preconizate
Alocaţii bugetare
Cofinanţare
dr.hab Tighineanu Ion Mihail
10.820.05.01GA
Universitatea Tehnică a Moldovei
Proiecte bilaterale
Nanotehnologii, inginerie industrială, produse şi materiale noi.
Aplicativ
2010-01-01 - 2010-12-31
2010
Vor fi ajustaţi parametrii principali ai FFI (energia şi doza ionilor) în funcţie de parametrii electrici ai straturilor GaN.
Vor fi optimizaţi parametrii decapării fotoelectrochimice pentru producerea structurilor GaN cu morfologie dirijată (nanopereţi, nanofire, membrane suspendate).
Va fi determinat designul optimal al nanosenzorului de gaze din punct de vedere al unui set de parametri, cum ar fi sensibilitatea, selectivitatea, timpul de reacţie şi de restabilire, temperatura de operare, consumul de energie.
Vor fi explorate posibilităţile de producere a senzorilor de radiaţie UV selectivi sau cu bandă largă prin ingineria nanostructurilor de GaN.