Fenomenul multi-exciton si multi-electron-gol in nano-structuri de semiconductor

Director de proiect, gradul ştiinţific Codul (cifrul) proiectuluiInstituţia executoareTipul proiectuluiDirecţia strategicăCaracterul cercetărilorTermenul de realizareRezultatele preconizateAlocaţii bugetareCofinanţare
dr. Rusu Spiridon Simion
08.820.05.33RF
Institutul de Fizică Aplicată al AŞM
Proiecte bilaterale
Nanotehnologii, inginerie industrială, produse şi materiale noi.Fundamental2008-01-01 - 2009-12-31
2008
Vor fi determinate probabilităţile tranziţiilor optice în dependenţă de direcţia de propagare şi polarizare circulară a radiaţiei laser faţă de stratul de semiconductor bidimensional şi de proiecţia momentului orbital al golurilor grele.
2009
Vor fi determinate tranziţiile optice, distribuirea sarcinilor electrice pe nivelele energetice şi mecanismele de acumulare a sarcinilor electrice în puncte cuantice. Va fi observată cinetica fotoluminescenţei punctelor cuantice de semiconductori excitate cu radiaţia laser cu durata impulsului de picosecunde. Vor fi determinate timpurile caracteristice ale procesului de fotoluminiscenţă.
2008
70.0
2009
134.0
2008
0.0
2009
0.0