Fenomenul multi-exciton si multi-electron-gol in nano-structuri de semiconductor
Director de proiect, gradul ştiinţific | Codul (cifrul) proiectului | Instituţia executoare | Tipul proiectului | Direcţia strategică | Caracterul cercetărilor | Termenul de realizare | Rezultatele preconizate | Alocaţii bugetare | Cofinanţare |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
dr. Rusu Spiridon Simion | 08.820.05.33RF | Institutul de Fizică Aplicată al AŞM | Proiecte bilaterale | Nanotehnologii, inginerie industrială, produse şi materiale noi. | Fundamental | 2008-01-01 - 2009-12-31 | 2008 Vor fi determinate probabilităţile tranziţiilor optice în dependenţă de direcţia de propagare şi polarizare circulară a radiaţiei laser faţă de stratul de semiconductor bidimensional şi de proiecţia momentului orbital al golurilor grele. 2009 Vor fi determinate tranziţiile optice, distribuirea sarcinilor electrice pe nivelele energetice şi mecanismele de acumulare a sarcinilor electrice în puncte cuantice.
Va fi observată cinetica fotoluminescenţei punctelor cuantice de semiconductori excitate cu radiaţia laser cu durata impulsului de picosecunde. Vor fi determinate timpurile caracteristice ale procesului de fotoluminiscenţă. | 2008 70.0 2009 134.0 | 2008 0.0 2009 0.0 |