2008

Vor fi calculate spectrele electronice şi de gol în nanocristalele Si, SiC şi Si(SiC) cu diferite forme (sferică, tetraedrică, dreptunghiulară, cilindrică şi cu forma lentilei) şi dimensiuni, utilizând hamiltonianul 1-zonal şi 6-zonal pentru electron şi gol, respective. Va fi efectuat calculul energiei Coulombiene de interacţiune a electronului şi golului, cît şi a energiei de autoacţiune în nanocristalele Si, SiC şi Si(SiC) cu diferite forme, ţinând cont de permitivitatea dielectrică diferită a nanocristalului şi mediului.

2009

Vor fi calculate spectrele excitonice în nanocristalele Si, SiC şi Si(SiC) cu diferite forme şi dimensiuni, utilizînd hamiltonianul 3-zonal. Va fi obţinută dependenţa energiei stărilor excitonice şi a perioadei de existenţă a excitonului în nanocristale de forma şi dimensiunile lor. În aproximaţia dipol-dipolică va fi calculată probabilitatea apariţiei formelor active ale oxigenului, cauzate de interacţiunea cu excitonul în punctul cuantic. Va fi cercetată influenţa formei punctelor cuantice asupra probabilităţii acestui proces şi propuse cele mai eficiente forme ale punctelor cuantice. Vor fi formulate condiţiile optimale ale fotosensibilizării.