2008

Va fi elaborat traseul tehnologic de fabricare a unui produs cu parametri tehnici performanţi pe piaţa dispozitivelor electronice – convertizor electronic ultrarapid de curent cu timpul de revenire inversă 80 ns, stabil la temperaturi înalte (200oC) şi tensiune de blocare 4,5 kV, care depăşesc parametrii produsului analogic din siliciu ESJC30-05 (0,3μs, 110 oC); Vor fi obţinute straturi omogene din arseniură de galiu cu tensiune înaltă prin utilizarea tehnologiei performante de epitaxie în sistemul Ga-AsCl3–H2 la instalaţiile autohtone. Va fi studiată prin modelare dependenţa curentului rezidual al dispozitivului de procedeele tehnologice ulterioare de fabricare: decapare, pasivare şi silastinare a p-n joncţiunii în scopul optimizării procedeelor tehnologice la parametrul randament. Vor fi asimilate procedee cunoscute şi elaborate procedee noi la optimizarea traseului tehnologic de fabricare a convertizorului.

2009

Va fi elaborat traseul tehnologic de fabricare a unui produs modernizat cu parametri tehnici performanţi pe piaţa dispozitivelor electronice – convertizor electronic ultrarapid de curent cu timpul de revenire inversă 80 ns, stabil la temperaturi înalte (200oC) şi tensiune de blocare 4,5 kV, ce depăşesc parametrii produsului comercial analog din siliciu ESJC30-05 (0,3 μs, 110oC). Implementarea tehnologiei elaborate va spori randamentul de producţie cu 50% prin obţinerea straturilor omogene din arseniură de galiu de puritate înaltă cu utilizarea tehnologiei performante de epitaxie în sistemul Ga-AsCl3–H2, precum şi prin implementarea a două procedee noi elaborate: procedeul chimic de decapare a cristalelor şi procedeul de pasivare a p-n joncţiunii cu oxid propriu.