2009

Vor fi elaborate procedeele tehnologice de obţinere a structurilor poroase cu pori orientaţi paralel la suprafaţa probei în plachete de GaP, CdSe, ZnSe şi în filme epitaxiale de GaAs, InP şi ZnO. Vor fi elaborate tehnologii de depunere a tuburilor metalice omogene în porii acestor structuri. Vor fi prezentate probe de nanostructuri filiforme ordonate cu nanofire din Ge, Cu, Ag şi aliaj de Ni cu numărul de nanofire într-o structură nu mai mic de 10 mii şi cu diametrul firelor conductive de 50±20, 100±30 şi 200±50 nm. Vor fi prezentate probe de nanofire singulare din Ge, Cu, Ag şi aliaj de Ni cu diametrul de 50±20, 100±30 şi 200±50 nm în înveliş de sticlă cu diametrul de 20 μm.

2009

Vor fi preparate structuri tri-dimensionale metal-semiconductor în baza plachetelor de GaP, ZnSe şi CdSe şi a filmelor epitaxiale de InP, GaAs şi ZnO. Vor fi prezentate probe de nanostructuri filiforme cu nanofire şi nanoincluziuni alungite din materiale magnetice (Ni, Fe, Co) cu dimensiunile transversale 80÷300 nm. Va fi determinată structura benzilor fotonice pentru cristalele fotonice formate din structuri 2D şi 3D metal-dielectric şi metal-semiconductor. Vor fi identificate diapazoanele spectrale în care aceste structuri dau dovadă de indice de refracţie neobişnuit. Calculele teoretice vor fi verificate prin măsurări experimentale ale reflexiei şi transmisiei optice.