Tehnologia obţinerii ZnO prin metoda hidrotermală şi a nanostructurilor pe baza de oxid de zinc pentru fabricarea dispozitivelor optoelectronice.

Director de proiect, gradul ştiinţific Codul (cifrul) proiectuluiInstituţia executoareTipul proiectuluiDirecţia strategicăCaracterul cercetărilorTermenul de realizareRezultatele preconizateAlocaţii bugetareCofinanţare
dr.hab Rusu Emil Vasile
10.820.05.20RoF
Institutul de Cercetări Ştiinţifice în Control Nedistructiv
IMSP Institutul de Ftiziopneumologie „Chiril Draganiuc“
Institutul Ştiinţifico-Practic de Fitotehnie
Firma „Bodiul-ARA“
Gradina Botanică (Institut) a AŞM
2010
Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM
2011
Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM
2012
Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM
Proiecte bilaterale
Nanotehnologii, inginerie industrială, produse şi materiale noi.Aplicativ2010-06-01 - 2012-12-31
2010
Va fi elaborată tehnologia de obţinere a filmelor nanostructurate şi planare de ZnO în baza metodei de depunere din componente metalorganice (MOCVD) pe suporturi de GaAs, Si şi ZnO monocristalin, cu parametri morfologici, optici şi fotoelectrici dirijaţi. Vor fi identificate condiţiile tehnologice pentru asigurarea creşterii epitaxiale a filmelor de ZnO, precum şi formarea nanostructurilor columnare, nanofirelor şi nanotuburilor. Va fi stabilită influenţa suportului şi a condiţiilor tehnologice (temperaturii sursei şi a suportului, fluxurilor de Ar şi O2, condiţiilor de tratament termic) asupra caracteristicilor electrofizice şi optice ale straturilor depuse.
2011
Va fi stabilită influenţa condiţiilor tehnologice asupra spectrului fononilor şi tranziţiilor radiative în monocristale de oxid de zinc, obţinute prin metoda hidrotermală şi straturile nanostructurate de ZnO şi depuse din faza de vapori prin metoda MOCVD. Vor fi determinaţi parametrii procesului de depunere pentru obţinerea straturilor epitaxiale pe suport monocristalin de ZnO cu morfologie şi caracteristici electrice dirijate prin dopare cu elemente din grupul III şi V – (Al, Ga, N). Se va stabili influenţa defectelor native în filme de ZnO asupra caracteristicilor electrice ale acestora.
2012
Vor fi elaborate condiţiile tehnologice de obţinere a filmelor epitaxiale de ZnO pe suport monocristalin de ZnO cu diferite orientări cristalografice. Va fi efectuat un studiu comparativ ce ţine de morfologia filmelor depuse pe suport de ZnO şi Al2O3 şi stabilite condiţiile optime de obţinere a filmelor cu parametri dirijaţi. În baza structurilor obţinute vor fi elaborate fotoreceptoare rapide de radiaţie UV de tip MSM şi studiate caracteristicele lor.
2010
86.0
2011
100.0
2012
100.0
2010
0.0
2011
0.0
2012
0.0