Tehnologia obţinerii ZnO prin metoda hidrotermală şi a nanostructurilor pe baza de oxid de zinc pentru fabricarea dispozitivelor optoelectronice.
Director de proiect, gradul ştiinţific | Codul (cifrul) proiectului | Instituţia executoare | Tipul proiectului | Direcţia strategică | Caracterul cercetărilor | Termenul de realizare | Rezultatele preconizate | Alocaţii bugetare | Cofinanţare |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
dr.hab Rusu Emil Vasile | 10.820.05.20RoF | Institutul de Cercetări Ştiinţifice în Control Nedistructiv IMSP Institutul de Ftiziopneumologie „Chiril Draganiuc“ Institutul Ştiinţifico-Practic de Fitotehnie Firma „Bodiul-ARA“ Gradina Botanică (Institut) a AŞM 2010 Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM 2011 Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM 2012 Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM | Proiecte bilaterale | Nanotehnologii, inginerie industrială, produse şi materiale noi. | Aplicativ | 2010-06-01 - 2012-12-31 | 2010 Va fi elaborată tehnologia de obţinere a filmelor nanostructurate şi planare de ZnO în baza metodei de depunere din componente metalorganice (MOCVD) pe suporturi de GaAs, Si şi ZnO monocristalin, cu parametri morfologici, optici şi fotoelectrici dirijaţi. Vor fi identificate condiţiile tehnologice pentru asigurarea creşterii epitaxiale a filmelor de ZnO, precum şi formarea nanostructurilor columnare, nanofirelor şi nanotuburilor. Va fi stabilită influenţa suportului şi a condiţiilor tehnologice (temperaturii sursei şi a suportului, fluxurilor de Ar şi O2, condiţiilor de tratament termic) asupra caracteristicilor electrofizice şi optice ale straturilor depuse. 2011 Va fi stabilită influenţa condiţiilor tehnologice asupra spectrului fononilor şi tranziţiilor radiative în monocristale de oxid de zinc, obţinute prin metoda hidrotermală şi straturile nanostructurate de ZnO şi depuse din faza de vapori prin metoda MOCVD. Vor fi determinaţi parametrii procesului de depunere pentru obţinerea straturilor epitaxiale pe suport monocristalin de ZnO cu morfologie şi caracteristici electrice dirijate prin dopare cu elemente din grupul III şi V – (Al, Ga, N). Se va stabili influenţa defectelor native în filme de ZnO asupra caracteristicilor electrice ale acestora. 2012 Vor fi elaborate condiţiile tehnologice de obţinere a filmelor epitaxiale de ZnO pe suport monocristalin de ZnO cu diferite orientări cristalografice. Va fi efectuat un studiu comparativ ce ţine de morfologia filmelor depuse pe suport de ZnO şi Al2O3 şi stabilite condiţiile optime de obţinere a filmelor cu parametri dirijaţi. În baza structurilor obţinute vor fi elaborate fotoreceptoare rapide de radiaţie UV de tip MSM şi studiate caracteristicele lor. | 2010 86.0 2011 100.0 2012 100.0 | 2010 0.0 2011 0.0 2012 0.0 |