2021

Proiectul este axat pe elaborarea/modificarea tehnologiilor de preparare și cercetarea proprietăților fizice ale materialelor uni-, bi- și tri- dimensionale și structuri în baza compușilor II-VI, III-V, III-VI și II-IV-N2 pentru detectarea radiațiilor X, UV, VIS, IR și THz. Cercetările sunt direcționate spre: - elaborarea tehnologiei de preparare și cercetarea structurilor multistrat în baza filmelor subțiri ale materialelor (As2S3)x(SnSe)1-x, (As4Se3S3)xTe1-x, (As2S3)x(Bi2Se3)1-x și (As2S3)xFe1-x sensibile la radiații X; cercetarea proceselor de difuzie a Cu, Ag și In în structurile în baza straturilor subțiri sub acțiunea radiațiilor X; elaborarea și fabricarea dispozitivelor pentru înregistrarea imaginilor în raze X în timp real și vizualizarea lor în regiunea VIS a spectrului; - elaborarea design-ului și fabricarea detectorilor (mono- și matriciali) multifuncționali pentru domeniul razelor X în baza CdTe, Cd1-xZnxTe, Cd1-xSexTe, Cd1-xZnxTe1- ySey și elaborarea sistemului de prelucrare a datelor pentru aplicații științifice, industriale și medicale; - studiul influenței proceselor de interacțiune a defectelor native și impuritare asupra proceselor electronice și radiative în materialele semiconductoare de tip II-VI dopate cu P, As, Sb, Bi și metale de tranziție precum și determinarea modalităților de control a acesteia în cristalele de ZnSe și CdSe, în scopul utilizării practice a proprietăților acestor materiale pentru crearea de detectoare scintilatoare; - elaborarea detectorilor UV în baza straturilor subțiri de GaN prin Hydride Vapor Phase Epitaxy pe suporturi și structuri eterogene (AlN/Si, AlGaN/AlN/Si, GaAs) cu filme intermediare de ZnO și ZnSe și contacte de Ni, Ag, Ti, optimizarea tehnologiilor de preparare și cercetarea proprietăţilor fizice ale straturilor şi structurilor; - sinteza și cercetarea nanocompozitelor de tipul Ga2O3/(GaSe, GaS) dopate cu Zn și Bi și a structurilor detectoare pentru regiunea UV-I (orbi la radiația solară) și detectorilor flexibili cu bandă largă de sensibilitate în spectrul UV-VIS cu constanta de timp de ms; - elaborarea tehnologiei de obținere a straturilor ZnSn(Si)N2 și a heterojoncțiunilor în baza acestora pentru detectori VIS-IR și cercetarea proprietăților fizice ale straturilor și a structurii integrale; - elaborarea, cercetarea proceselor fizice și modelarea numerică a structurilor CdS/CdSe/CdTe și CdS/Cd1-xSexTe/CdTe pentru detectori în domeniul VIS-IR; - optimizarea tehnologiei de epitaxie din fază gazoasă pentru depunerea straturilor componente ale heterostructurilor p-i-n detectoare a radiațiilor în VIS în baza InP/(ZnO, TiO2, ZnO, ITO) cu eficiența cuantică externă 75-80% și sensibilitatea absolută 450-550 A/mW; - elaborarea design-ului optimal al structurilor cuantice cascadă GaN/AlGaN pentru aplicații THz funcționale la 230- 300K și studiul caracteristicilor electrice și optice.