2016

Vor fi elaborate şi prezentate rutele tehnologice de fabricare a nanomatricelor poroase de InP şi GaP şi rutele tehnologice de depunere a structurilor quasi-unidimensionale (nanoparticule), a monostraturilor şi a multistraturilor de nanoparticule metalice în matrice poroase de InP şi GaP. Va fi determinată dependenţa densităţii nanoparticulelor de durata şi de numărul impulsurilor de curent aplicate la depunerea electrochimică. Vor fi identificate procesele şi mecanismele de disoluţie electrochimică prin studiul spectroscopiei electrochimică de impedanţă, precum şi mecanismele de depunere a nanoparticulelor metalice în nanomatrice semiconductoare prin aplicarea tehnologiilor electrochimice de impuls. Prin studiul la microscopul electronic de transmisie şi analiza difractogramelor electronice va fi determinată structura nanoparticulelor depuse şi condiţiile de trecere de la depunerea unistrat la depunerea multistrat pentru fiecare dintre metalele aplicate. Prin studiul difracţiei cu raze X vor fi analizate schimbările potenţiale ale structurii cristalografice introduse de decaparea electrochimică în materialul semiconductor iniţial şi vor fi elaborate condiţiile tehnologice pentru evitarea unor astfel de efecte. Vor fi prezentate măsurătorile caracteristicilor electrofizice ale nanocontactelor nanoparticulă metalică-nanomatrice semiconductoare pentru nanomatrice de InP şi GaP şi pentru diferite metale. Vor fi formulate concluziile privind perspectivele de fabricare a nano-dispozitivelor optoelectronice în baza contactelor nanoparticulă-nanomatrice. Va fi prezentat protocolul de testare a proprietăţilor plasmonice şi fotocatalitice ale nanomatricelor semiconductoare acoperite cu monostraturi de particule metalice.

2017

Vor fi elaborate şi prezentate rutele tehnologice de fabricare a nanofirelor de InP și GaP, a structurilor miez/înveliș SnO2/GaN, SnO2/GaAs, și SnO2/CdTe, precum și a membranelor de InP, GaP și GaN. Prin studiul microscopiei electronice de scanare microscopiei electronice de transmisie, difracţiei cu raze X, spectroscopiei Raman și FTIR va fi stabilită dependența structurii cristalografice și a morfologiei nanofirelor și a structurilor miez/înveliș, de condițiile tehnologice aplicate. Vor fi prezentate rezultatele măsurătorilor caracteristicilor electrofizice ale contactelor „nanoparticulă metalică-nanomatrice semiconductoare” de InP și GaN și concluziile privind perspectivele de fabricare a nano-dispozitivelor optoelectronice în baza lor. În rezultatul studiului proprietăților membranelor de InP, GaP și GaN vor fi identificate posibilitățile de aplicare a lor în structuri micro-opto-electronice. Structurile miez/înveliș fabricate vor fi testate în calitate de senzori.