Materiale nanostructurate cu bandă interzisă largă pentru dispozitive optoelectronice şi plasmonice

Director de proiect, gradul ştiinţific Codul (cifrul) proiectuluiInstituţia executoareTipul proiectuluiDirecţia strategicăCaracterul cercetărilorTermenul de realizareRezultatele preconizateAlocaţii bugetareCofinanţare
dr.hab Rusu Emil Vasile
15.817.02.08A
Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM
Proiecte de cercetare ştiinţifică fundamentală şi cercetare ştiinţifică aplicativă (instituţionale)
Materiale, tehnologii şi produse inovativeAplicativ2015-01-01 - 2018-12-31
2015
Vor fi elaborate condiţiile tehnologice pentru obţinerea straturilor planare şi na- nostructurate de materiale cu bandă interzisă largă (ZnO, ZnMgO, NiO, GaN,TiO2) prin metoda MOCVD, depunerea magnetron şi spin-coating. Va fi studiată morfologia filmelor prin caracterizare SEM, AFM. Vor fi determinaţi parametrii electrici şi optici ai materialelor produse în funcţie de condiţiile tehnologice aplicate. Vor fi stabilite condiţiile optime de obţinere a structurilor planare şi nanostructurate cu parametri prestabiliţi în corelare cu aplicarea lor în structuri de dispozitive preconizate (diode MSM, joncţiuni p-n).
2016
Vor fi dezvoltate tehnologiile de producere a structurilor de dispozitiv în baza undelor acustice de suprafaţă în baza straturilor de ZnO şi MgxZn1-xO. Vor fi obţinute structuri cu un singur strat planar pentru propagarea undei acustice de suprafaţă. Vor fi elaborate tehnologii de obţinere a structurilor bistratificate: cu un strat dens de material pentru propagarea undei acustice de suprafaţă şi un strat nanostructurat cu diferite morfologii. Vor fi elaborate tehnologiile de formare a traductoarelor interdigitale.
2017
Vor fi elaboraţi senzori conductometrici de radiaţie şi substanţe chimice în baza structurilor GaN, ZnO, SnO2, TiO2 şi a structurilor hibride. Vor fi studiate şi identificate mecanismele de sensibilitate a senzorilor. Vor fi elaborate tehnologii de producere a soluţiilor solide MgxZn1-xO cu compoziţie dirijată, vor fi obţinute structuri planare în baza soluţiilor solide MgxZn1-xO pentru x=0,05; 0,15; 0,25 şi elaborate procedee tehnologice de confecţionare a senzorilor de radiaţie UV de tip MSM, diodelor Schottky, preparate pe straturi de ZnO, GaN, structurilor NiO/ZnO. Vor fi studiate caracteristicile fotoelectrice şi timpul de răspuns al fotoreceptoarelor interdigitali şi determinate condiţiile tehnologice optime de obţinere a structurilor şi formare a fotoreceptoarelor. Vor fi elaboraţi senzori cu fibră optică în baza materialelor oxidice de ZnO şi TiO2, având ca principiu de funcţionare efectul de refracţie a luminii laser. Vor fi realizaţi senzori în baza structurilor cu unde acustice de suprafaţă (SAW). Va fi determinată viteza de propagare a undei acustice de suprafaţă în funcţie de morfologia, nanostructurarea structurilor sensibile de ZnO şi GaN. Vor fi determinate frecvenţele de rezonanţă şi coeficienţii complecşi de transmisie şi reflexie a structurilor SAW în funcţie de designul senzorului.
2015
1489.6
2016
1775.3
2017
1796.3
2015
0.0
2016
0.0
2017
0.0