2011

Vor fi elaborate schema principală şi modelul tehnic ale dispozitivului de înregistrare FTP. Prin metode de evaporare în vid vor fi obţinute probe de straturi subţiri din sistemele semiconductoare As2S3(x)As2Se3(1-x) şi As2S3(x)As2Se3(y)Sn(z) cu grosimea 0.3 – 2.5 μm. Va fi dezvoltată metodica şi elaborată instalaţia holografică pentru înregistrarea micro­obiectelor şi determinarea dimensiunilor lor prin metodele opticii difractive. Vor fi investigate proprietăţile de fotosensibilitate a peliculelor semiconductoare şi va fi identificată componenţa compuşilor cu sensibili­tatea spectrală 106-107cm2/J. Va fi dezvoltată tehnologia depunerii peliculelor termoplastici subţiri (0.3-0.7 μm) pe suprafaţa straturilor semiconductoare. Va fi îndeplinit ciclul deplin de obţinere a purtătorilor FTP cu testarea lor în laboratoarele partenerilor de colaborare. Vor fi testate şi ajustate blocurile şi modulele separate ale dispozitivului.

2012

Va fi asamblat şi testat Dispozitivul de înregistrare fototermoplastică (FTP) în laboratoarele partenerilor din Canada şi SUA. Vor fi studiate şi testate proprietăţile de rezoluţie spaţială a purtătorului fototermoplastic. Va fi elaborată metoda de înregistrare a hologramelor în două faze prin metodele de fotostructurare şi înregistrare FTP. Vor fi dezvoltate metodele computerizate de analiză a dimensiunilor microobiectelor mobile, înregistrate în instalaţia holografică. Va fi efectuată optimizarea şi ajustarea caracteristicilor dispozitivului şi purtătorilor de înregistrare FTP şi elaborată documentaţia tehnică cu privire la implementarea acestora.