Senzori magnetoelectrici în baza materialelor nanocompozite din piezoelectric (GaN) şi metale magnetostrictive pentru aplicaţii biologice

Director de proiect, gradul ştiinţific Codul (cifrul) proiectuluiInstituţia executoareTipul proiectuluiDirecţia strategicăCaracterul cercetărilorTermenul de realizareRezultatele preconizateAlocaţii bugetareCofinanţare
dr. Popa Veaceslav Iurie
14.518.02.03A
Universitatea Tehnică a Moldovei
Proiecte din cadrul programelor de stat
Materiale, tehnologii şi produse inovativeAplicativ2014-01-01 - 2014-12-31
2013
Vor fi dezvoltate metode noi de producere a templatelor nanostructurate de GaN cu o distribuţie uniformă a porilor cu diametrul dirijat într-un diapazon de la 50 nm pînă la 200 nm şi a membranelor poroase de GaN cu grosimea de la câteva zeci de micrometri până la 300 micrometri. Va fi efectuată prepararea unui set de template nanostructurate de GaN cu diametrul de la 50 nm până la 200 nm şi de membrane poroase de GaN cu grosimea de la 10 nm pînă la 300 nm. Vor fi identificate posibilităţi de diminuare a scurgerilor de curent la interfaţa matricei piezoelectricului (GaN) cu materialul magnetostrictiv şi se vor elabora condiţii tehnologice de depunere a filmelor SiO2 în template nanostructurate de GaN prin metoda depunerii chimice din vapori (CVD). Vor fi elaborate condiţii tehnologice de depunere a filmelor de Terfenol-D cu grosime şi morfologie dirijată.
2014
Vor fi dezvoltate metode noi de producere a templatelor nanostructurate de GaN cu o distribuţie uniformă a porilor cu diametrul dirijat într-un diapazon de la 50 nm pînă la 200 nm şi a membranelor poroase de GaN cu grosimea de la câteva zeci de micrometri până la 300 micrometri. Va fi efectuată prepararea unui set de template nanostructurate de GaN cu diametrul de la 50 nm până la 200 nm şi de membrane poroase de GaN cu grosimea de la 10 nm pînă la 300 nm. Vor fi identificate posibilităţi de diminuare a scurgerilor de curent la interfaţa matricei piezoelectricului (GaN) cu materialul magnetostrictiv şi se vor elabora condiţii tehnologice de depunere a filmelor SiO2 în template nanostructurate de GaN prin metoda depunerii chimice din vapori (CVD). Vor fi elaborate condiţii tehnologice de depunere a filmelor de Terfenol-D cu grosime şi morfologie dirijată.
2015
Se va elabora protocolul de preparare a materialelor nanocompozite GaN/Ni, GaN/ Terfenol-D. Va fi elaborat protocolul de umplere a templatelor de GaN cu nanofire de NiFe şi un set de nanomembrane de GaN cu diametrul porilor de la 50 la 200 nm umplute cu nanofire de materiale magnetostrictive. Se va elabora protocolul de testare a proprietăţilor piezoelectrice ale nanotemplatelor de GaN. Va fi elaborat protocolul de testare a proprietăţilor magnetice ale metalelor şi aliajelor depuse în interiorul porilor templatelor de GaN. Vor fi fabricate mostre de senzori magnetoelectrici elaboraţi în baza nanotemplatelor de GaN. Se va elabora protocolul de testa- re a proprietăţilor magnetoelectrice ale senzorilor elaboraţi în baza nanotemplatelor de GaN.
2013
200.0
2014
200.0
2015
200.0
2013
0.0
2014
0.0
2015
0.0