Senzori magnetoelectrici în baza materialelor nanocompozite din piezoelectric (GaN) şi metale magnetostrictive pentru aplicaţii biologice
Director de proiect, gradul ştiinţific | Codul (cifrul) proiectului | Instituţia executoare | Tipul proiectului | Direcţia strategică | Caracterul cercetărilor | Termenul de realizare | Rezultatele preconizate | Alocaţii bugetare | Cofinanţare |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
dr. Popa Veaceslav Iurie | 14.518.02.03A | Universitatea Tehnică a Moldovei | Proiecte din cadrul programelor de stat | Materiale, tehnologii şi produse inovative | Aplicativ | 2014-01-01 - 2014-12-31 | 2013 Vor fi dezvoltate metode noi de producere a templatelor nanostructurate de GaN cu o distribuţie uniformă a porilor cu diametrul dirijat într-un diapazon de la 50 nm pînă la 200 nm şi a membranelor poroase de GaN cu grosimea de la câteva zeci de micrometri până la 300 micrometri.
Va fi efectuată prepararea unui set de template nanostructurate de GaN cu diametrul de la 50 nm până la 200 nm şi de membrane poroase de GaN cu grosimea de la 10 nm pînă la 300 nm.
Vor fi identificate posibilităţi de diminuare a scurgerilor de curent la interfaţa matricei piezoelectricului (GaN) cu materialul magnetostrictiv şi se vor elabora condiţii tehnologice de depunere a filmelor SiO2 în template nanostructurate de GaN prin metoda depunerii chimice din vapori (CVD). Vor fi elaborate condiţii tehnologice de depunere a filmelor de Terfenol-D cu grosime şi morfologie dirijată.
2014 Vor fi dezvoltate metode noi de producere a templatelor nanostructurate de GaN cu o distribuţie uniformă a porilor cu diametrul dirijat într-un diapazon de la 50 nm pînă la 200 nm şi a membranelor poroase de GaN cu grosimea de la câteva zeci de micrometri până la 300 micrometri.
Va fi efectuată prepararea unui set de template nanostructurate de GaN cu diametrul de la 50 nm până la 200 nm şi de membrane poroase de GaN cu grosimea de la 10 nm pînă la 300 nm.
Vor fi identificate posibilităţi de diminuare a scurgerilor de curent la interfaţa matricei piezoelectricului (GaN) cu materialul magnetostrictiv şi se vor elabora condiţii tehnologice de depunere a filmelor SiO2 în template nanostructurate de GaN prin metoda depunerii chimice din vapori (CVD). Vor fi elaborate condiţii tehnologice de depunere a filmelor de Terfenol-D cu grosime şi morfologie dirijată.
2015 Se va elabora protocolul de preparare a materialelor nanocompozite GaN/Ni, GaN/ Terfenol-D. Va fi elaborat protocolul de umplere a templatelor de GaN cu nanofire de NiFe şi un set de nanomembrane de GaN cu diametrul porilor de la 50 la 200 nm umplute cu nanofire de materiale magnetostrictive. Se va elabora protocolul de testare a proprietăţilor piezoelectrice ale nanotemplatelor de GaN.
Va fi elaborat protocolul de testare a proprietăţilor magnetice ale metalelor şi aliajelor depuse în interiorul porilor templatelor de GaN. Vor fi fabricate mostre de senzori magnetoelectrici elaboraţi în baza nanotemplatelor de GaN. Se va elabora protocolul de testa- re a proprietăţilor magnetoelectrice ale senzorilor elaboraţi în baza nanotemplatelor de GaN. | 2013 200.0 2014 200.0 2015 200.0 | 2013 0.0 2014 0.0 2015 0.0 |