2011

Vor fi elaborate tehnologii de fabricare a membranelor ultrasubţiri suspendate de GaN şi GaN/AlGaN cu grosime dirijată. Va fi preparat un set de membrane prin două metode: litografia cu sarcină de suprafaţă cu tratament în plasmă de Ar prin mască şi litografia cu sarcină de suprafaţă cu înscrierea directă prin intermediul fasciculului focalizat de ioni de Ga . Vor fi determinaţi parametrii optimali ai structurilor AlGaN/GaN pentru tranzistoare cu efect de cîmp în baza membranelor suspendate ultrasubţiri.

2012

Vor fi elaborate structurile de tranzistori cu efect de cîmp în baza membranelor subţiri de GaN, fiind optimizate din punct de vedere al coeficientului de amplificare. Vor fi elaborate structuri Schottky în baza membranelor de GaN. Vor fi elaborate structuri de dispozitive electronice de tipul senzorilor cu unde acustice de suprafaţă în baza membranelor suspendate. Va fi stabilită interdependenţa dintre designul şi performanţele dispozitivului.