Elaborarea tehnologiei de obţinere şi nanostructurare a semiconductoarelor II-VI cu conductibilitatea înaltă şi banda interzisă largă şi soluţiilor solide aplicabile in optoelectronică şi fotonică
Director de proiect, gradul ştiinţific | Codul (cifrul) proiectului | Instituţia executoare | Tipul proiectului | Direcţia strategică | Caracterul cercetărilor | Termenul de realizare | Rezultatele preconizate | Alocaţii bugetare | Cofinanţare |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
dr.hab Nedeoglo Dumitru Damian | 11.836.05.07A | Universitatea de Stat din Moldova | Proiecte din cadrul programelor de stat | Nanotehnologii, inginerie industrială, produse şi materiale noi. | Aplicativ | 2011-01-01 - 2012-12-31 | 2011 Va fi elaborată tehnologia de obţinere a monocristalelor intrinseci de ZnS prin metoda transportului fizic al vaporilor în vid. Va fi elaborată tehnologia de dopare a cristalelor de ZnS prin difuzie termică din topitura Zn Al şi va fi obţinută o serie de probe cu grad de dopare diferit. Vor fi studiate particularităţile formării nanostructurilor în baza cristalelor n-ZnS:Al prin corodare electrochimică în dependenţă de parametrii tehnologici de nanostructurare. 2012 Va fi elaborată tehnologia de obţinere a cristalelor ZnO şi cristalelor soluţiilor solide de ZnSSe, ZnCdS şi elaborată tehnologia de dopare a cristalelor cu impuritatea donor de Al, H sau Cl, în scopul obţinerii cristalelor cu diferit nivel de dopare. Va fi studiat specificul formării nanostructurilor în baza cristalelor n-ZnS, n-ZnSSe, n-ZnCdS şi n-ZnO în dependenţă de parametrii tehnologici de nanostructurare şi electroconductibilitate a cristalelor. | 2011 110.0 2012 110.0 | 2011 0.0 2012 0.0 |