Mecanismele de stingere a fotoconductivităţii remanente în Pb1-xSnxTe(In)
Director de proiect, gradul ştiinţific
Codul (cifrul) proiectului
Instituţia executoare
Tipul proiectului
Direcţia strategică
Caracterul cercetărilor
Termenul de realizare
Rezultatele preconizate
Alocaţii bugetare
Cofinanţare
dr. Nicorici Andrei Vasile
08.820.06.41RF
Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM
Proiecte bilaterale
Eficientizarea complexului energetic şi asigurarea securităţii energetice, inclusiv prin folosirea resurselor renovabile
2008-01-01 - 2009-12-31
2008
Vor fi sintetizaţi compuşi de Pb1-xSnxTe (In) (x=0.22-0.30) cu diferit grad de dopare CIn = 0.1-1,0 at.% şi vor fi determinaţi parametrii de bază ai acestor compuşi. Va fi studiată fotoconductivitatea şi influenţa diferitor factori externi (temperatura, impuls de curent electric ş.a.) asupra acestea .
2009
Vor fi determinaţi parametrii de bază ai compuşilor de Pb 1-x Snx Te(In) obţinuţi in etapa anterioară (x= 0,22 - = 0,30; CIn = 0,3 – 1,0 %) şi stabilit gradul de omogenitate a materialelor dopate.
Va fi studiata fotoconductibilitatea in regiunea IR a spectrului, şi influenţa a diferitori factori externi asupra proceselor de relaxare a fotoconductanţei.
