Elaborarea tehnologiei de obţinere a nanostraturilor pe bază de compuşi GaInP/GaAs(InP) prin metoda de epitaxie din fază gazoasă pentru aplicaţii la dispozitive fotovoltaice

Director de proiect, gradul ştiinţific Codul (cifrul) proiectuluiInstituţia executoareTipul proiectuluiDirecţia strategicăCaracterul cercetărilorTermenul de realizareRezultatele preconizateAlocaţii bugetareCofinanţare
Gorceac Leonid L.
09.836.05.08A
Universitatea de Stat din Moldova
Concepţii ale programelor de stat
Nanotehnologii, inginerie industrială, produse şi materiale noi.Aplicativ2009-01-01 - 2010-12-31
2009
Va fi elaborată tehnologia de obţinere a nanostraturilor GaAs şi vor fi optimizaţi parametrii necesari pentru dirijarea procedeelor tehnologice (temperaturile şi vitezele fluxurilor de gaze). Se vor obţine mostre de nanostraturi având grosimile şi parametrii electrofizici necesari pentru confecţionarea dispozitivelor fotovoltaice, vor fi studiate morfologia, proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale straturilor.
2010
Prin metoda HVPE va fi elaborată tehnologia de obţinere a nanostraturilor GaAs dopate cu impurităţi n şi p-tip. Vor fi obţinute structuri pGaAs-nGaAs-n GaAs cu nanostraturi. Va fi elaborată tehnologia de creştere a straturilor InGaP nanodimensionale cu compoziţia atomică ce asigură coincidenţa reticulară în structura pInGaP-pGaAs-nGaAs-n GaAs. Va fi cercetată compoziţia atomică, proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale soluţiilor solide InGaP. Va fi determinată şi prezentată structura funcţională a celulei solare cu naonostraturi pInGaP-pGaAs-nGaAs-n GaAs.
2009
230.0
2010
100.0
2009
0.0
2010
0.0