Tehnologii cost-efective de fabricare a nanostructurilor uni-dimensionale, bi-dimensionale şi tri-dimensionale în bază de GaN
Director de proiect, gradul ştiinţific | Codul (cifrul) proiectului | Instituţia executoare | Tipul proiectului | Direcţia strategică | Caracterul cercetărilor | Termenul de realizare | Rezultatele preconizate | Alocaţii bugetare | Cofinanţare |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
dr.hab Tighineanu Ion Mihail | 10.820.05.01GA | Universitatea Tehnică a Moldovei | Proiecte bilaterale | Nanotehnologii, inginerie industrială, produse şi materiale noi. | Aplicativ | 2010-01-01 - 2010-12-31 | 2010 Vor fi ajustaţi parametrii principali ai FFI (energia şi doza ionilor) în funcţie de parametrii electrici ai straturilor GaN.
Vor fi optimizaţi parametrii decapării fotoelectrochimice pentru producerea structurilor GaN cu morfologie dirijată (nanopereţi, nanofire, membrane suspendate).
Va fi determinat designul optimal al nanosenzorului de gaze din punct de vedere al unui set de parametri, cum ar fi sensibilitatea, selectivitatea, timpul de reacţie şi de restabilire, temperatura de operare, consumul de energie.
Vor fi explorate posibilităţile de producere a senzorilor de radiaţie UV selectivi sau cu bandă largă prin ingineria nanostructurilor de GaN.
| 2010 150.0 | 2010 0.0 |