2010

Vor fi calculate şi cercetate spectrele energetice, vitezele de grup şi densitatea stărilor fononice în nanostructurile cu canal interior din Si şi Ge: heterostructurile plane 3-stratificate şi heterofirele cu secţiune transversală variabilă. Va fi dezvoltată abordarea teoretică pentru calcularea exactă a perioadei de difuzie a fononului care participă în procesele 3-fononice “Umklapp” şi “Normal”. În rezultat, se va obţine dependenţa perioadei de difuzie de numărul de undă al fononului. Va fi cercetată influenţa materialului şi a grosimii armăturilor asupra perioadei de difuzie a fononului. Va fi efectuată compararea intensităţii proceselor “Umklapp” şi “Normal”, care decurg în structurile 2D (heterostructurile plane) şi 1D (heterofirele). Va fi stabilită legitatea generală de variaţie a intensităţii proceselor 3-fononice la trecerea de la structurile 2D la cele 1D.

2011

Va fi calculată conductibilitatea termică fononică şi factorul de calitate (ZT) în structurile 1D şi 2D studiate. Va fi cercetată posibilitatea de majorare (micşorare) a fluxurilor termice şi majorarea parametrului ZT în heterostructuri comparativ cu straturile şi firele fără armături. Optimizând parametrii materiali şi geometrici ai sistemului, vor fi determinate condiţiile de obţinere a unor efecte maximale de majorare (micşorare) a fluxurilor termice şi de majorare a factorului de calitate. Pentru experimentatori vor fi elaborate recomandări privind obţinerea efectelor maximale.