Elaborarea şi cercetarea tehnologiilor combinate de sinteză, depunere şi modificare a proprietăţilor radiative şi conductive a micro- şi nanostructurilor semiconductoare II-VI
Director de proiect, gradul ştiinţific | Codul (cifrul) proiectului | Instituţia executoare | Tipul proiectului | Direcţia strategică | Caracterul cercetărilor | Termenul de realizare | Rezultatele preconizate | Alocaţii bugetare | Cofinanţare |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Guţan Valeriu Ion - 2011 dr. Olaru Ion Nicolae - 2014 dr. Olaru Ion Nicolae - 2013 dr. Olaru Ion Nicolae - 2012 | 11.817.05.28F | Universitatea de Stat „Alecu Russo” din Bălţi | Proiecte de cercetare ştiinţifică fundamentală şi cercetare ştiinţifică aplicativă (instituţionale) | Materiale, tehnologii şi produse inovative | Fundamental | 2011-01-01 - 2014-12-31 | 2011 Va fi analizată experienţa avansată în domeniul tehnologiilor de sinteză prin aplicarea plasmei. Va fi elaborat proiectul instalaţiei tehnologice pentru sinteza şi depunerea structurilor semiconductoare II-VI micro şi nanodimensionale în plasmă obţinută prin descărcare electrică de tensiune înaltă de tensiune înaltă în impuls.
Vor fi elaborate proiectele blocului electronic şi ale camerei tehnologice. Vor fi confecţionate elementele şi asamblată instalaţia tehnologică pentru sinteza şi depunerea structurilor semiconductoare în plasmă obţinută prin descărcare electrică în impuls.
Vor fi elaborate metode noi de sinteză şi depunere a structurilor semiconductoare II-VI în plasmă.
Vor fi obţinute mostre de structuri semiconductoare sintetizate în plasmă. Vor fi cercetate proprietăţile radiative şi amorfologia suprafeţelor obţinute.
2012 Vor fi elaborate metode noi de sinteză şi depunere a structurilor semiconductoare II-VI prin aplicarea radiaţiei laser UV în impuls şi
IR în undă continuă. Vor fi obţinute structuri semiconductoare II-VI sintetizate prin aplicarea radiaţiei laser UV în impuls şi a IR în undă continuă.
Vor fi determinate regimurile tehnologice optime de sinteză. Vor fi studiate proprietăţile radiative şi conductive ale structurilor semiconductoare II-VI obţinute. 2013 Va fi analizată experienţa avansată în domeniul de sinteză prin aplicarea radiaţiei laser UV, IR, plasmei şi pirolizei. Va fi elaborată şi lansată instalaţia pentru sinteza şi depunerea structurilor semiconductoare cu aplicarea tehnologiilor combinate.
Vor fi elaborate metode noi de sinteză şi depunere a structurilor semiconductoare II-Vi prin aplicarea combinată a radiaţiei laser UV în impuls şi IR în undă continuă, plasmei, pirolizei şi descrise regimurile tehnologice de sinteză.
Vor fi analizate rezultatele experimentale de cercetare a proprietăţilor radiative şi conductive a structurilor obţinute. Vor fi determinate regimurile tehnologice optimale de sinteză.
Vor fi prezentate mostre de structuri semiconductoare sintetizate cu aplicarea radiaţiei laser UV în impuls şi a IR în undă continuă. 2014 Vor fi elaborate tehnologii de dopare a structurilor semiconductoare II-VI, sintetizate prin piroliză în plasmă, obţinută prin descărcare electrică. Vor fi elaborate tehnologii de dopare a structurilor semiconductoare II-VI, obţinute cu aplicarea radiaţiei laser, pirolizei şi plasmei.
Vor fi determinate şi optimizate regimurile tehnologice de sinteză şi depunere a straturilor semiconductoare II-VI subţiri, dopate. Vor fi elaborate recomandații tehnologice de sinteză şi depunere a straturilor semiconductoare II-VI subţiri, dopate.
| 2011 90.0 2012 90.0 2013 96.7 2014 109.7 | 2011 0.0 2012 0.0 2013 0.0 2014 0.0 |